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新聞動態(tài)
工業(yè)大盤點的風(fēng)吹到了半導(dǎo)體設(shè)備
來源:   作者:蘇州亞平電子有限公司  閱讀:2551次

過程控制:半導(dǎo)體晶圓制造過程中不同工藝之后,往往需要進行尺寸測量、缺陷檢測等,用于工藝控制、良率管理,要求快速、準(zhǔn)確。尺寸測量、缺陷檢測等應(yīng)用于每道制程工藝之后。IC量測設(shè)備用于工藝控制、良率管理,檢測要求快速、準(zhǔn)確、非破壞。IC量測在發(fā)展過程中,在尺寸微縮、復(fù)雜3D、新型材料方面面臨各類技術(shù)難點,面對諸如存儲、CIS、化合物半導(dǎo)體等不同半導(dǎo)體檢測等多種需求不斷升級。IC量測設(shè)備的技術(shù)類別包括探針顯微鏡、掃描/透射電鏡、光學(xué)顯微鏡、橢偏/散射儀等,技術(shù)發(fā)展方向包括延續(xù)現(xiàn)有的非破壞測量技術(shù),電鏡方面推進并行電子束技術(shù),散射儀向EUV、X射線延伸以縮小波長,并聯(lián)合多種測量手段和機器學(xué)習(xí)實現(xiàn)混合測量等。



過程控制設(shè)備包括應(yīng)用于工藝過程中的測量類設(shè)備(Metrology)和缺陷(含顆粒)檢查類設(shè)備(Inspection)。芯片生產(chǎn)過程中,在線工藝檢測設(shè)備要對經(jīng)過不同工藝后的晶圓進行無損的定量測量和檢查,從而保證工藝的關(guān)鍵物理參數(shù)(如薄膜厚度、線寬、溝/孔深度、側(cè)壁角等)滿足要求,同時發(fā)現(xiàn)可能出現(xiàn)的缺陷并對其進行分類,剔除不合格的晶圓,避免后續(xù)工藝?yán)速M。工藝檢測設(shè)備的另一個作用是協(xié)助工藝開發(fā)和試生產(chǎn)時優(yōu)化設(shè)備運行參數(shù)和光掩模的設(shè)計,優(yōu)化整個工藝流程,縮短開發(fā)時間,提升成品率并實現(xiàn)量產(chǎn)。

半導(dǎo)體量測Metrology主要包括:

1)套刻對準(zhǔn)的偏差測量;

2)薄膜材料的厚度測量;

3)晶圓在光刻膠曝光顯影后、刻蝕后和CMP工藝后的關(guān)鍵尺寸(CD)測量;

4)其他:如晶圓厚度,彎曲翹曲(Bow/Warp),1D/2D應(yīng)力stress,晶圓形貌,四點探針測電阻RS,XPS測注入含量等,AFM(原子力顯微鏡)/Metal plus(超聲波)測臺階高度(Step Height)等。



半導(dǎo)體檢測Inspection主要包括:

1)無圖形缺陷檢測,包括顆粒(particle)、殘留物(residue)、刮傷(scratch)、警惕原生凹坑(COP)等;

2)有圖像缺陷檢測,包括斷線(break)、線邊缺陷(bite)、橋接(bridge)、線形變化(Deformation)等;

3)掩模版缺陷檢測,包括顆粒等;

4)缺陷復(fù)檢,針對檢測掃出的缺陷(位置,大小,種類),用光學(xué)顯微鏡或掃描電鏡確認(rèn)其存在。

發(fā)布時間:2024/2/2  【打印此頁】  閱讀:2551次